Р5058 Мост переменного тока

В наличии на складе, по договорной цене.

Мост переменного тока Р5058; Р-5058; Р 5058; мост Р5058; Р-5058; Р 5058; купить Р5058; Р-5058; Р 5058; купить дешевле Р5058; Р-5058; Р 5058; цена моста переменного тока Р5058; Р-5058; Р 5058; описание Р5058; Р-5058; Р 5058; технические характеристики Р5058; Р-5058; Р 5058; назначение Р5058; Р-5058; Р 5058

НАЗНАЧЕНИЕ МОСТА Р5058

Мост переменного тока Р5058 предназначен для измерения емкости и тангенса угла потерь конденсаторов и других объектов измерения, а также для измерения проводимости и остаточной емкости высокоомных резисторов.

Прибор мост переменного тока Р5058 имеет вывод результатов измерений в параллельном двоично-десятичном коде 8-4-2-1 с уровнями сигналов, соответствующими:
- -12В±2,4В - для логической «1»;
- 0В±2,4В - для логического «0»;

Мост имеет три вида запуска:
- ручной;
- автоматический с регулируемым циклом в диапазоне 0,5с-10с;
- внешний, управляемый серией импульсов амплитудой 2,5В-6В;

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Р5058

Рабочие частоты, поддиапазоны измерений и допускаемых погрешностей измерений прибора приведены в таблице 1;

Таблица 1 Рабочие частоты, поддиапазоны измерений и допускаемых погрешностей измерений прибора мост переменного тока Р5058

Измеряемый параметр	Частота	Поддиапазон измерений	Макс. значение измеряемого параметра	Предел допускаемой основной погрешности прибора мост переменного тока Р5058
Измеряемый параметр	Частота	Поддиапазон измерений	Макс. значение измеряемого параметра	δо	Δ
С, tgδ	0,05кГц	10,00нФ-99,99нФ	0,5кГц	1%	0,05tgδ+ 5∙10^-3
		100,0нФ-999,9нФ
		1,000мкФ-9,999мкФ
		10,00мкФ-99,99мкФ			-
		100,0мкФ-999,9мкФ		2%	-
	1кГц	0,02пФ-99,99пФ	1кГц	0,5+0,004х (1000/С-1)%	-
		100,0пФ-999,9пФ		0,5%	-
		1,000нФ-9,999нФ		0,5%	0,02tgδ+ 2∙10^-3
		10,00нФ-99,99нФ		0,2%	0,01tgδ+ 1∙10^-3
		100,0нФ-999,9нФ		0,2%	0,005tgδ+ 5∙10^-4
		1,000мкФ-9,999мкФ		0,5%	0,01tgδ+ 1∙10^-3
		10,00мкФ-99,99мкФ		1%	0,02tgδ+ 5∙10^-3
	10кГц	0,02пФ-99,99пФ	0,5кГц	1+0,002х (1000/С-1)%	-
		100,0пФ-999,9пФ		1%	0,02tgδ+ 2∙10^-3
		1,000нФ-9,999нФ		0,5%	0,01tgδ+ 2∙10^-3
		10,00нФ-99,99нФ		0,5%	0,01tgδ+ 2∙10^-3
		100,0нФ-999,9нФ		1%	0,02tgδ+ 5∙10^-3
С, Gо	0,5 (при tgδ≤0,5)	10,00нФ-99,99нФ	31,4мкСм	2	0,02Gо+ 0,5мкСм
		100,0нФ-999,9нФ	0,314мСм		0,2Gо+ 0,005мСм
		1,000мкФ-9,999мкФ	3,14мСм		0,2Gо+ 0,5мСм
		10,00мкФ-99,99мкФ	6,2мСм		-
	1 (при tgδ≤1)	0,02пФ-99,99пФ	628нСм	0,5+0,004х (1000/С-1)%	-
		100,0пФ-999,9пФ	6,28мкСм	0,5%	0,05Gо+ 0,005мкСм
		1,000нФ-9,999нФ	62,8мкСм	0,2%	0,02Gо+ 0,05мкСм
		10,00нФ-99,99нФ	628мкСм	0,2%	0,01Gо+ 0,2мкСм
		100,0нФ-999,9нФ	6,28мСм	0,5%	0,02Gо+ 0,005мСм
		1,000мкФ-9,999мкФ	62,8мСм	1%	-
	10 (при tgδ≤0,1)	100,0пФ-999,9пФ	6,28мкСм	2%	0,02Gо+ 0,1мкСм
		1,000нФ-9,999нФ	62,8мкСм		0,02Gо+ 2мкСм
		10,00нФ-99,99нФ	628мкСм		0,02Gо+ 10мкСм
		100,0нФ-999,9нФ	6,28мСм		-
L, Rо	0,5 (при tgδ≤0,5)	10,00Гн-99,99Гн	15 кОм
	0,5 (при tgδ≤0,5)	1,000Гн-9,999Гн	1,5 кОм
	1 (при tgδ≤0,5)	1,000Гн-9,999Гн	31,4 кОм	0,5%
	1 (при tgδ≤0,5)	10,00мГн-999,9мГн	3,14 кОм	0,2%	0,02Rо+ 0,005 кОм
	1 (при tgδ≤1)	10,00Гн-99,99Гн	628,0 Ом		0,02Rо+ 0,5 Ом