Р5058 Мост переменного тока

Главная » Каталог » Магазины, меры, мосты » Р5058 Мост переменного тока

В наличии на складе, по лучшей цене!

Мост переменного тока Р5058; Р-5058; Р 5058; мост Р5058; Р-5058; Р 5058; купить Р5058; Р-5058; Р 5058; купить дешевле Р5058; Р-5058; Р 5058; цена моста переменного тока Р5058; Р-5058; Р 5058; описание Р5058; Р-5058; Р 5058; технические характеристики Р5058; Р-5058; Р 5058; назначение Р5058; Р-5058; Р 5058

 Мост переменного тока Р5058 фото

НАЗНАЧЕНИЕ МОСТА Р5058

Мост переменного тока Р5058 предназначен для измерения емкости и тангенса угла потерь конденсаторов и других объектов измерения, а также для измерения проводимости и остаточной емкости высокоомных резисторов.

Прибор мост переменного тока Р5058 имеет вывод результатов измерений в параллельном двоично-десятичном коде 8-4-2-1 с уровнями сигналов, соответствующими:
 - -12В±2,4В - для логической «1»;
 - 0В±2,4В - для логического «0»;

Мост имеет три вида запуска:
 - ручной;
 - автоматический с регулируемым циклом в диапазоне 0,5с-10с;
 - внешний, управляемый серией импульсов амплитудой 2,5В-6В;

 ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Р5058

    Рабочие частоты, поддиапазоны измерений и допускаемых погрешностей измерений прибора приведены в таблице 1;

    Таблица 1 Рабочие частоты, поддиапазоны измерений и допускаемых погрешностей измерений прибора мост переменного тока Р5058

Измеряемый параметр Частота Поддиапазон измерений Макс. значение измеряемого параметра Предел допускаемой основной погрешности прибора мост переменного тока Р5058
δо Δ
С, tgδ 0,05кГц 10,00нФ-99,99нФ 0,5кГц 1% 0,05tgδ+
5∙10-3
100,0нФ-999,9нФ
1,000мкФ-9,999мкФ
10,00мкФ-99,99мкФ -
100,0мкФ-999,9мкФ 2%
1кГц 0,02пФ-99,99пФ 1кГц 0,5+0,004х
(1000/С-1)%
-
100,0пФ-999,9пФ 0,5%
1,000нФ-9,999нФ 0,02tgδ+
2∙10-3
10,00нФ-99,99нФ 0,2% 0,01tgδ+
1∙10-3
100,0нФ-999,9нФ 0,005tgδ+
5∙10-4
1,000мкФ-9,999мкФ 0,5% 0,01tgδ+
1∙10-3
10,00мкФ-99,99мкФ 1% 0,02tgδ+
5∙10-3
10кГц 0,02пФ-99,99пФ 0,5кГц 1+0,002х
(1000/С-1)%
-
100,0пФ-999,9пФ 1% 0,02tgδ+
2∙10-3
1,000нФ-9,999нФ 0,5% 0,01tgδ+
2∙10-3
10,00нФ-99,99нФ
100,0нФ-999,9нФ 1% 0,02tgδ+
5∙10-3
С, Gо 0,5 (при tgδ≤0,5) 10,00нФ-99,99нФ 31,4мкСм 2 0,02Gо+
0,5мкСм
100,0нФ-999,9нФ 0,314мСм 0,2Gо+
0,005мСм
1,000мкФ-9,999мкФ 3,14мСм 0,2Gо+
0,5мСм
10,00мкФ-99,99мкФ 6,2мСм -
1 (при tgδ≤1) 0,02пФ-99,99пФ 628нСм 0,5+0,004х
(1000/С-1)%
-
100,0пФ-999,9пФ 6,28мкСм 0,5% 0,05Gо+
0,005мкСм
1,000нФ-9,999нФ 62,8мкСм 0,2% 0,02Gо+
0,05мкСм
10,00нФ-99,99нФ 628мкСм 0,2% 0,01Gо+
0,2мкСм
100,0нФ-999,9нФ 6,28мСм 0,5% 0,02Gо+
0,005мСм
1,000мкФ-9,999мкФ 62,8мСм 1% -
10 (при tgδ≤0,1) 100,0пФ-999,9пФ 6,28мкСм 2% 0,02Gо+
0,1мкСм
1,000нФ-9,999нФ 62,8мкСм 0,02Gо+
2мкСм
10,00нФ-99,99нФ 628мкСм 0,02Gо+
10мкСм
100,0нФ-999,9нФ 6,28мСм -
L, Rо 0,5 (при tgδ≤0,5) 10,00Гн-99,99Гн 15 кОм
1,000Гн-9,999Гн 1,5 кОм
1 (при tgδ≤0,5) 1,000Гн-9,999Гн 31,4 кОм 0,5%
10,00мГн-999,9мГн 3,14 кОм 0,2% 0,02Rо+
0,005 кОм
1 (при tgδ≤1) 10,00Гн-99,99Гн 628,0 Ом 0,02Rо+
0,5 Ом
1,000Гн-9,999Гн 62,80 Ом 0,05Rо+
0,05 Ом
100,0мкГн-999,9мкГн 6,280 Ом 0,5% 0,05Rо+
0,20 Ом
0,03мкГн-99,99мкГн 628,30 мОм 0,5+0,003х
(1000/L-1%)
-
10 (при tgδ≤0,1) 100,0мГн-999,9мГн 9,99 кОм 1% 0,05Rо+
0,05 Ом
10,00мГн-99,99мГн 999 Ом 0,05Rо+
5 Ом
1,000мГн-9,999мГн 99,9 Ом 0,05Rо+
0,5 Ом
100,0мкГн-999,9мкГн 9,99 Ом -
R, Lо 1 (при τ≤100мкс) 1,000 МОм-9,999 МОм - -
100,0 кОм-999,9 кОм 1,00Гн 1%
10,00 кОм-99,99 кОм 0,5% 0,05Lо+
0,005Гн
1,000 кОм-9,999 кОм 999,9мГн 0,2% 0,02Lо+
0,5мГн
100,0 Ом-999,9 Ом 99,99мГн 0,05Lо+
0,05мГн
10,00 Ом-99,99 Ом 9,999мГн 0,2+0,05х
(100/R-1)%
-
1,000 Ом-9,999 Ом 999,9мкГн 0,5+0,2х
(10/R-1)%
10,0 Ом-999,9 Ом 99,99мкГн
10 (при τ≤5мкс) 10,00 кОм-99,99 кОм 0,10Гн 2%
1,000 кОм-9,999 кОм 99,9мГн 0,05Lо+
0,5мГн
100,0 Ом-999,9 Ом 9,99мГн 1% 0,05Lо+
0,05мГн
R, τL 1 10,00 кОм-99,99 кОм 9,99мкс -
1,000 кОм-9,999 кОм 0,5%
100,0 Ом-999,9 Ом 0,2% 0,02τL+
0,5мкс
10,00 Ом-99,99 Ом 0,2+0,1х
(100/R-1)%
-
R, τс 1 1,000 МОм-9,999 МОм 99,99мкс 1%
100,0 кОм-999,9 кОм 0,5% 0,02τс+
0,5мкс
10,00 кОм-99,99 кОм 0,2% 0,01τс+
0,1мкс
1,000 кОм-9,999 кОм
100,0 Ом-999,9 Ом 0,5% 0,01τс+
0,2мкс
10,00 Ом-99,99 Ом 0,02τс+
0,5мкс
10 10,00 кОм-99,99 кОм 1,99мкс 2% -
1,000 кОм-9,999 кОм 1% 0,02τс+
0,5мкс
100,0 Ом-999,9 Ом -
G, Со 0,05 (при tgδ≤0,5) 100,0мкСм-999,9мкСм 99,99нФ
1,000мСм-9,999мСм 999,9нФ
10,00мСм-99,99мСм 9,999мкФ
1 (при tgδ≤1) 1,000мкСм-9,999мкСм 999,9пФ 0,02Со+
0,2пФ
10,00мкСм-99,99мкСм 9,999нФ 0,5% 0,01Со+
0,02нФ
100,0мкСм-999,9мкСм 99,99нФ 0,2%
1,000мСм-9,999мСм 999,9нФ 0,5% 0,01Со+
0,2нФ
100,0мСм-999,9мСм 99,99мкФ 2% -
10 (при tgδ≤0,1) 100,0мкСм-999,9мкСм 9,99нФ
1,000мСм-9,999мСм 99,9нФ 1%
10,00мСм-99,99мСм 0,999мкФ
П 1 ±(0,05÷30) 1 1 (0,02П+
0,05)%

 

Время измерения на частотах 10кГц, 1кГц и 50Гц не превышает соответственно 0,1с, 0,2с и 5с;

Выбор поддиапазона измерений прибора мост переменного тока Р5058 - автоматический;

Выбор режима работы и рабочей частоты - ручной и дистанционный;

Изменение предела допускаемых основных погрешностей прибора мост переменного тока Р5058 не превышает половины значений, указанных в таблице 1 при:

 - изменении температуры окружающего воздуха относительно номинального значения 20ºС±5ºС в диапазоне от 10ºС до 35ºС на каждые 10К изменения температуры;

 - изменении напряжения питания от +10% до -15% номинального значения 220В±2%;

 - наличии внешнего магнитного поля частоты 50Гц±1Гц напряженностью до 80А/м;

Время установления рабочего режима прибора мост переменного тока Р5058 - не более 1 минуты с момента его включения;

Время непрерывной работы - до 8 часов.